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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI1330EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1330EDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1330EDL-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1330EDL-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
SI1330EDL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 195930

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1330EDL-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1330EDL-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1330EDL-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 280mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240mA (Ta)  
Numero di prodotto di base SI1330  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1330EDL-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI1330EDL-T1-GE3 SI1315DL-T1-GE3 SI1305EDL-T1-GE3 SI1404BDH-T1-E3
Modello di prodotti SI1330EDL-T1-GE3 SI1315DL-T1-GE3 SI1305EDL-T1-GE3 SI1404BDH-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 8 V 8 V 30 V
Rds On (max) a Id, Vgs 2.5Ohm @ 250mA, 10V 336mOhm @ 800mA, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 280mW (Ta) 300mW (Ta), 400mW (Tc) 290mW (Ta) 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 800mV @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 1.3V @ 250µA
Numero di prodotto di base SI1330 SI1315 SI1305 SI1404
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±12V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-6
Serie TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 240mA (Ta) 900mA (Tc) 860mA (Ta) 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V

SI1330EDL-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1330EDL-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1330EDL-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
SI1330EDL.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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