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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI1305EDL-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI1305EDL-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI1305EDL-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI1305EDL-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-70, SOT-323
Scheda dati
SI1305EDL.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4540

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI1305EDL-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI1305EDL-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI1305EDL-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta)  
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 8 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 860mA (Ta)  
Numero di prodotto di base SI1305  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI1305EDL-T1-E3

Proprietà del prodotto SI1305EDL-T1-E3 SI1317DL-T1-GE3 SI1307EDL-T1-E3 SI1308EDL-T1-GE3
Modello di prodotti SI1305EDL-T1-E3 SI1317DL-T1-GE3 SI1307EDL-T1-E3 SI1308EDL-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) 800mV @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA
Contenitore / involucro SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V 6.5 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 4.5V 150mOhm @ 1.4A, 4.5V 290mOhm @ 1A, 4.5V 132mOhm @ 1.4A, 10V
Serie - TrenchFET® - TrenchFET®
Numero di prodotto di base SI1305 SI1317 SI1307 SI1308
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 8 V 20 V 12 V 30 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Contenitore dispositivo fornitore SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3
Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta) 500mW (Tc) 290mW (Ta) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 860mA (Ta) 1.4A (Tc) 850mA (Ta) 1.4A (Tc)

SI1305EDL-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI1305EDL-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI1305EDL-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
SI1305EDL.pdf

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