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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLZ34SPBF
IRLZ34SPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLZ34SPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLZ34SPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLZ34SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRLZ34S/L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 33340

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLZ34SPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLZ34SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLZ34SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLZ34  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLZ34SPBF

Proprietà del prodotto IRLZ34SPBF IRLZ44NPBF IRLZ34NSPBF IRLZ44NSTRLPBF
Modello di prodotti IRLZ34SPBF IRLZ44NPBF IRLZ34NSPBF IRLZ44NSTRLPBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 55 V 55 V 55 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±10V ±16V ±16V ±16V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base IRLZ34 IRLZ44 - IRLZ44
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) TO-220AB D2PAK D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 47A (Tc) 30A (Tc) 47A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V 22mOhm @ 25A, 10V 35mOhm @ 16A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V

IRLZ34SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLZ34SPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLZ34SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRLZ34S/L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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