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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLZ34NSTRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLZ34NSTRLPBF - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLZ34NSTRLPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLZ34NSTRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRLZ34NSTRLPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 27045

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLZ34NSTRLPBF
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLZ34NSTRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLZ34NSTRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 16A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLZ34  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLZ34NSTRLPBF

Proprietà del prodotto IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NPBF IRLZ44NPBF IRLZ34NLPBF
Modello di prodotti IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NPBF IRLZ44NPBF IRLZ34NLPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 68W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 16A, 10V 35mOhm @ 16A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 35mOhm @ 16A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 47A (Tc) 30A (Tc)
Numero di prodotto di base IRLZ34 IRLZ34 IRLZ44 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK TO-220AB TO-220AB TO-262
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRLZ34NSTRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLZ34NSTRLPBF PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLZ34NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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