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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLZ34S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLZ34S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLZ34S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLZ34S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRLZ34S/L.pdf
In magazzino: 5400

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLZ34S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLZ34S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLZ34S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLZ34  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLZ34S

Proprietà del prodotto IRLZ34S IRLZ44 IRLZ34NPBF IRLZ44NPBF
Modello di prodotti IRLZ34S IRLZ44 IRLZ34NPBF IRLZ44NPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 50A (Tc) 30A (Tc) 47A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V 28mOhm @ 31A, 5V 35mOhm @ 16A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base IRLZ34 IRLZ44 IRLZ34 IRLZ44
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 150W (Tc) 68W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRLZ34S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLZ34S PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLZ34S - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRLZ34S/L.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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