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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLR014
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR014 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRLR014
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR014
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR014, IRLU014.pdf
In magazzino: 3620

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR014
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRLR014, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRLR014

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRLR014  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRLR014

Proprietà del prodotto IRLR014 IRLR014NTRPBF IRLMS6802TR IRLR014NPBF
Modello di prodotti IRLR014 IRLR014NTRPBF IRLMS6802TR IRLR014NPBF
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 4.6A, 5V 140mOhm @ 6A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 4.5V 140mOhm @ 6A, 10V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Numero di prodotto di base IRLR014 - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.7A (Tc) 10A (Tc) 5.6A (Ta) 10A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±16V - ±16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 7.9 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 7.9 nC @ 5 V
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak D-Pak Micro6™(SOT23-6) D-Pak
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 55 V 20 V 55 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 265 pF @ 25 V 1079 pF @ 10 V 265 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 28W (Tc) - 28W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube

IRLR014 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR014 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRLR014 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRLR014, IRLU014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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