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IRLR014NTR Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLR014NTR - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRLR014NTR
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLR014NTR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRLR/U014N.pdf
In magazzino: 4610

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLR014NTR
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRLR014NTR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRLR014NTR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 28W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 265 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRLR014NTR

Proprietà del prodotto IRLR014NTR IRLMS6802TRPBF IRLR014TRL IRLR014NPBF
Modello di prodotti IRLR014NTR IRLMS6802TRPBF IRLR014TRL IRLR014NPBF
fabbricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 20 V 60 V 55 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 5.6A (Ta) 7.7A (Tc) 10A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 28W (Tc) 2W (Ta) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 28W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak Micro6™(TSOP-6) D-Pak D-Pak
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 6A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 4.5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 140mOhm @ 6A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4V, 5V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.9 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 7.9 nC @ 5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 265 pF @ 25 V 1079 pF @ 10 V 400 pF @ 25 V 265 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±12V ±10V ±16V

IRLR014NTR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLR014NTR PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRLR014NTR - Infineon Technologies.

Altri documenti correlati
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
IRLR/U014N.pdf

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