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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL630STRRPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL630STRRPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL630STRRPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL630STRRPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL630S, SiHL630S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 17594

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL630STRRPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL630STRRPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL630STRRPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL630  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL630STRRPBF

Proprietà del prodotto IRL630STRRPBF IRL630STRLPBF IRL630STRR IRL630A
Modello di prodotti IRL630STRRPBF IRL630STRLPBF IRL630STRR IRL630A
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 69W (Tc)
Numero di prodotto di base IRL630 IRL630 IRL630 IRL63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 5V
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 400mOhm @ 4.5A, 5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V

IRL630STRRPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL630STRRPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL630STRRPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRL630S, SiHL630S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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