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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL630STRR
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL630STRR - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL630STRR
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL630STRR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL630STRR.pdf
In magazzino: 4880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL630STRR
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL630STRR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL630STRR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL630  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL630STRR

Proprietà del prodotto IRL630STRR IRL640 IRL630 IRL630STRLPBF
Modello di prodotti IRL630STRR IRL640 IRL630 IRL630STRLPBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 17A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 66 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base IRL630 IRL640 IRL630 IRL630
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 125W (Tc) 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±10V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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