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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL630PBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL630PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL630PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL630PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL630PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30087

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL630PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL630PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL630PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL630  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL630PBF

Proprietà del prodotto IRL630PBF IRL630A IRL6342TRPBF IRL630STRLPBF
Modello di prodotti IRL630PBF IRL630A IRL6342TRPBF IRL630STRLPBF
fabbricante Vishay Siliconix onsemi Infineon Technologies Vishay Siliconix
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 69W (Tc) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220-3 8-SO D²PAK (TO-263)
Numero di prodotto di base IRL630 IRL63 IRL6342 IRL630
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V 40 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 5V 2.5V, 4.5V 4V, 5V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±12V ±10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) 9.9A (Ta) 9A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V 1025 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 400mOhm @ 5.4A, 5V 400mOhm @ 4.5A, 5V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V 400mOhm @ 5.4A, 5V
Serie - - HEXFET® -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.1V @ 10µA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 30 V 200 V

IRL630PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL630PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL630PBF - Vishay Siliconix.

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Packaging Information.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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