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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL620S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL620S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL620S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL620S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL620S, SiHL620S.pdf
In magazzino: 4760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL620S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL620S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL620S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL620  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL620S

Proprietà del prodotto IRL620S IRL610A IRL620STRL IRL60HS118
Modello di prodotti IRL620S IRL610A IRL620STRL IRL60HS118
fabbricante Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Infineon Technologies
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 33W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 11.5W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 60 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.65A, 5V 800mOhm @ 3.1A, 10V 17mOhm @ 11A, 10V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 6-PowerVDFN
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc) 3.3A (Tc) 5.2A (Tc) 18.5A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 8 nC @ 4.5 V
Numero di prodotto di base IRL620 - IRL620 IRL60HS118
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 5V 4V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220-3 D²PAK (TO-263) 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 10µA

IRL620S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL620S PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL620S - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRL620S, SiHL620S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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