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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL610A
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL610A - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
IRL610A
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL610A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL610A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 247050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL610A
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - IRL610A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - IRL610A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.65A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor IRL610A

Proprietà del prodotto IRL610A IRL620STRLPBF IRL620S IRL620SPBF
Modello di prodotti IRL610A IRL620STRLPBF IRL620S IRL620SPBF
fabbricante Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±10V ±10V ±10V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Tc) 5.2A (Tc) 5.2A (Tc) 5.2A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.65A, 5V 800mOhm @ 3.1A, 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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