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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL620
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL620 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL620
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL620
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRL620.pdf
In magazzino: 4800

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL620
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL620, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL620

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL620  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL620

Proprietà del prodotto IRL620 IRL620S IRL610A IRL60S216
Modello di prodotti IRL620 IRL620S IRL610A IRL60S216
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Numero di prodotto di base IRL620 IRL620 - IRL60S216
Serie - - - HEXFET®, StrongIRFET™
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V 255 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 33W (Tc) 375W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220-3 PG-TO263-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 15330 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 5V 800mOhm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.65A, 5V 1.95mOhm @ 100A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 5V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Tc) 5.2A (Tc) 3.3A (Tc) 195A (Tc)

IRL620 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL620 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL620 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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