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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL540SPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL540SPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL540SPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL540SPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL540S, SiHL540S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 33325

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL540SPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL540SPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL540SPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL540  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL540SPBF

Proprietà del prodotto IRL540SPBF IRL5602 IRL540NSPBF IRL540S
Modello di prodotti IRL540SPBF IRL5602 IRL540NSPBF IRL540S
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) - 3.8W (Ta), 140W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) 24A (Tc) 36A (Tc) 28A (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 44mOhm @ 18A, 10V 77mOhm @ 17A, 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 20 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±10V ±8V ±16V ±10V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 2.5V, 4.5V 4V, 10V 4V, 5V
Numero di prodotto di base IRL540 - - IRL540
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V 74 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRL540SPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL540SPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL540SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRL540S, SiHL540S.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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