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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL540S
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL540S - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL540S
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL540S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
Power MOSFET.pdf
In magazzino: 5490

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL540S
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL540S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL540S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL540  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL540S

Proprietà del prodotto IRL540S IRL540PBF IRL540NSPBF IRL5602
Modello di prodotti IRL540S IRL540PBF IRL540NSPBF IRL5602
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier Infineon Technologies
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V 44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±8V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) 28A (Tc) 36A (Tc) 24A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1460 pF @ 15 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 2.5V, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Numero di prodotto di base IRL540 IRL540 - -
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 150W (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-220AB D2PAK TO-220AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 20 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 77mOhm @ 17A, 5V 77mOhm @ 17A, 5V 44mOhm @ 18A, 10V 42mOhm @ 12A, 4.5V

IRL540S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL540S PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL540S - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
Power MOSFET.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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