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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL510STRLPBF
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL510STRLPBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRL510STRLPBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL510STRLPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL510S, SiHL510S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 29773

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL510STRLPBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRL510STRLPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRL510STRLPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL510  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRL510STRLPBF

Proprietà del prodotto IRL510STRLPBF IRL40SC209 IRL520LPBF IRL40SC228
Modello di prodotti IRL510STRLPBF IRL40SC209 IRL520LPBF IRL40SC228
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 15270 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 19680 pF @ 25 V
Serie - StrongIRFET™ - StrongIRFET™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V 0.8mOhm @ 100A, 10V 270mOhm @ 5.5A, 5V 0.65mOhm @ 100A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK (7-Lead) TO-262-3 D2PAK (7-Lead)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 40 V
Numero di prodotto di base IRL510 IRL40SC209 IRL520 IRL40SC228
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 375W (Tc) 60W (Tc) 416W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc) 478A (Tc) 9.2A (Tc) 557A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 267 nC @ 4.5 V 12 nC @ 5 V 307 nC @ 4.5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V

IRL510STRLPBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL510STRLPBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRL510STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
IRL510S, SiHL510S.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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