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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL40S212
IRL40S212 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL40S212 - Infineon Technologies

fabbricante Modello di prodotti
IRL40S212
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL40S212
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
IRL40S212.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4790

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL40S212
Specifiche tecniche Infineon Technologies - IRL40S212, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Infineon Technologies - IRL40S212

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 231W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8320 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL40  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Infineon Technologies IRL40S212

Proprietà del prodotto IRL40S212 IRL510 IRL3803STRR IRL510PBF
Modello di prodotti IRL40S212 IRL510 IRL3803STRR IRL510PBF
fabbricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3 TO-220AB D2PAK TO-220AB
Dissipazione di potenza (max) 231W (Tc) 43W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 43W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8320 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±16V ±10V
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 150µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie StrongIRFET™ - HEXFET® -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V 6mOhm @ 71A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 100 V 30 V 100 V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 5.6A (Tc) 140A (Tc) 5.6A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V
Numero di prodotto di base IRL40 IRL510 - IRL510

IRL40S212 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL40S212 PDF e la documentazione Infineon Technologies per IRL40S212 - Infineon Technologies.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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