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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRL510A
IRL510A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRL510A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
IRL510A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-IRL510A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRL510A.pdf
In magazzino: 3910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRL510A
Specifiche tecniche onsemi - IRL510A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - IRL510A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 440mOhm @ 2.8A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRL51  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi IRL510A

Proprietà del prodotto IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
Modello di prodotti IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
fabbricante onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 440mOhm @ 2.8A, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V 2.7mOhm @ 98A, 10V 5.5mOhm @ 71A, 10V
Numero di prodotto di base IRL51 IRL520 IRL40B215 -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 84 nC @ 4.5 V 76 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±16V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A (Tc) 9.2A (Tc) 120A (Tc) 140A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 100µA 1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220AB TO-220AB D2PAK
Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc) 60W (Tc) 143W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 40 V 30 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 3720 pF @ 25 V

IRL510A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRL510A PDF e la documentazione onsemi per IRL510A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRL510A.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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