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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP344PBF
IRFP344PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

IRFP344PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFP344PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP344PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP344.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4800

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP344PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFP344PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFP344PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 630mOhm @ 5.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 450 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFP344  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFP344PBF

Proprietà del prodotto IRFP344PBF IRFP350A IRFP360LC IRFP360
Modello di prodotti IRFP344PBF IRFP350A IRFP360LC IRFP360
fabbricante Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc) 17A (Tc) 23A (Tc) 23A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 630mOhm @ 5.7A, 10V 300mOhm @ 8.5A, 10V 200mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 14A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 202W (Tc) 280W (Tc) 280W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-3P TO-247AC TO-247AC
Numero di prodotto di base IRFP344 - IRFP360 IRFP360
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 2780 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-247-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 450 V 400 V 400 V 400 V
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFP344PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFP344PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFP344PBF - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
Mosfet EOL 25/Feb/2009.pdf
Schede tecniche
IRFP344.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Vishay Siliconix
32D-IRFP344PBF

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