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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP341
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP341 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
IRFP341
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP341
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP341.pdf
In magazzino: 28725

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP341
Specifiche tecniche Harris Corporation - IRFP341, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - IRFP341

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 350 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation IRFP341

Proprietà del prodotto IRFP341 IRFP350PBF IRFP3415PBF IRFP350LC
Modello di prodotti IRFP341 IRFP350PBF IRFP3415PBF IRFP350LC
fabbricante Harris Corporation Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Rds On (max) a Id, Vgs 550mOhm @ 5.5A, 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V 42mOhm @ 22A, 10V 300mOhm @ 9.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 190W (Tc) 200W (Tc) 190W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc) 16A (Tc) 43A (Tc) 16A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 350 V 400 V 150 V 400 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie - - HEXFET® -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP341

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32D-IRFP341

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