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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP360LC
IRFP360LC Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP360LC - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFP360LC
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP360LC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP360LC.pdf
In magazzino: 4080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP360LC
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFP360LC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFP360LC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 14A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 280W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFP360  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFP360LC

Proprietà del prodotto IRFP360LC IRFP360 IRFP3703 IRFP3710PBF
Modello di prodotti IRFP360LC IRFP360 IRFP3703 IRFP3710PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 7V, 10V 10V
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Numero di prodotto di base IRFP360 IRFP360 - IRFP3710
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 23A (Tc) 210A (Tc) 57A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 400 V 30 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 209 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 280W (Tc) 280W (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) 200W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 14A, 10V 2.8mOhm @ 76A, 10V 25mOhm @ 28A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 8250 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Pacchetto Tube Tube Bag Tube

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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