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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP044PBF
IRFP044PBF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP044PBF - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
IRFP044PBF
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP044PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 57A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP044.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP044PBF
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - IRFP044PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - IRFP044PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 34A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 57A (Tc)  
Numero di prodotto di base IRFP044  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix IRFP044PBF

Proprietà del prodotto IRFP044PBF IRFP054PBF IRFP054N IRFP048PBF
Modello di prodotti IRFP044PBF IRFP054PBF IRFP054N IRFP048PBF
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc) 190W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Bag Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 34A, 10V 14mOhm @ 54A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 18mOhm @ 44A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 57A (Tc) 70A (Tc) 81A (Tc) 70A (Tc)
Numero di prodotto di base IRFP044 IRFP054 - IRFP048
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - HEXFET® -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFP044PBF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRFP044PBF PDF e la documentazione Vishay Siliconix per IRFP044PBF - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
IRFP044.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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