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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP044NPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP044NPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFP044NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP044NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP044NPBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP044NPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFP044NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFP044NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 29A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRFP044NPBF

Proprietà del prodotto IRFP044NPBF IRFP048NPBF IRFP054NPBF IRFP044PBF
Modello di prodotti IRFP044NPBF IRFP048NPBF IRFP054NPBF IRFP044PBF
fabbricante International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 53A (Tc) 64A (Tc) 81A (Tc) 57A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Pacchetto Bulk Bulk Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc) 140W (Tc) 170W (Tc) 180W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 29A, 10V 16mOhm @ 37A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 28mOhm @ 34A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 60 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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