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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRFP048NPBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRFP048NPBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRFP048NPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRFP048NPBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
IRFP048NPBF.pdf
In magazzino: 46450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRFP048NPBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRFP048NPBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRFP048NPBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 37A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRFP048NPBF

Proprietà del prodotto IRFP048NPBF IRFP054N IRFP044NPBF IRFP044N
Modello di prodotti IRFP048NPBF IRFP054N IRFP044NPBF IRFP044N
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 37A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 20mOhm @ 29A, 10V 20mOhm @ 29A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Pacchetto Bulk Bag Bulk Bag
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc) 81A (Tc) 53A (Tc) 53A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc) 170W (Tc) 120W (Tc) 120W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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