Specifiche
Specifiche tecnologiche 19MT050XF
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 19MT050XF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 19MT050XF
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
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| Vgs (th) (max) a Id |
6V @ 250µA |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
16-MTP |
|
| Serie |
HEXFET® |
|
| Rds On (max) a Id, Vgs |
220mOhm @ 19A, 10V |
|
| Potenza - Max |
1140W |
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| Contenitore / involucro |
16-MTP Module |
|
| Pacchetto |
Bulk |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Chassis Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
7210pF @ 25V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
160nC @ 10V |
|
| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
500V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
31A |
|
| Configurazione |
4 N-Channel (Half Bridge) |
|
| Numero di prodotto di base |
19MT050 |
|
Metodo di spedizione
Tempi di consegna
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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