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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciEM6K33T2R
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

EM6K33T2R - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
EM6K33T2R
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-EM6K33T2R
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
EM6K33T2R.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 211060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche EM6K33T2R
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - EM6K33T2R, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - EM6K33T2R

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore EMT6  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Potenza - Max 150mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 1.2V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base EM6K33  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor EM6K33T2R

Proprietà del prodotto EM6K33T2R EM6J1T2R EM6K31GT2R EM6K1T2R
Modello di prodotti EM6K33T2R EM6J1T2R EM6K31GT2R EM6K1T2R
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Numero di prodotto di base EM6K33 EM6J1 EM6K31 EM6K1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V 115pF @ 10V 15pF @ 25V 13pF @ 5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 2.4Ohm @ 250mA, 10V 8Ohm @ 10mA, 4V
Potenza - Max 150mW 150mW 120mW 150mW
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA 200mA 250mA 100mA
Contenitore dispositivo fornitore EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 1.4nC @ 4.5V - -
Caratteristica FET Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 50V 20V 60V 30V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA 1V @ 100µA 2.3V @ 1mA 1.5V @ 100µA

EM6K33T2R Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica EM6K33T2R PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per EM6K33T2R - Rohm Semiconductor.

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Europa Germania 5
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