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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM850N06CX RFG
TSM850N06CX RFG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM850N06CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM850N06CX RFG
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM850N06CX RFG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
TSM850N06CX.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 116220

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM850N06CX RFG
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM850N06CX RFG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM850N06CX RFG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 2.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base TSM850  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX RFG

Proprietà del prodotto TSM850N06CX RFG TSM900N06CW RPG TSM900N10CP ROG TSM900N06CP ROG
Modello di prodotti TSM850N06CX RFG TSM900N06CW RPG TSM900N10CP ROG TSM900N06CP ROG
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Dissipazione di potenza (max) 1.7W (Tc) 4.17W (Tc) 50W (Tc) 25W (Tc)
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 11A (Tc) 15A (Tc) 11A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 30 V 500 pF @ 15 V 1480 pF @ 50 V 500 pF @ 15 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 2.3A, 10V 90mOhm @ 6A, 10V 90mOhm @ 5A, 10V 90mOhm @ 6A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base TSM850 TSM900 TSM900 TSM900
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 SOT-223 TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V

TSM850N06CX RFG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM850N06CX RFG PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM850N06CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM850N06CX.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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