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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM7NC65CF
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM7NC65CF - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM7NC65CF
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM7NC65CF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
650V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
TSM7NC65CF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30873

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM7NC65CF
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM7NC65CF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM7NC65CF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220S  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 44.6W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1169 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)  
Numero di prodotto di base TSM7  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC65CF

Proprietà del prodotto TSM7NC65CF TSM70NB1R4CP TSM850N06CX TSM80N1R2CH
Modello di prodotti TSM7NC65CF TSM70NB1R4CP TSM850N06CX TSM80N1R2CH
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 1.2A, 10V 85mOhm @ 2.3A, 10V 1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore ITO-220S TO-252, (D-Pak) SOT-23 TO-251 (IPAK)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 7.4 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) 3A (Tc) 2.3A (Ta), 3A (Tc) 5.5A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 700 V 60 V 800 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1169 pF @ 50 V 317 pF @ 100 V 529 pF @ 30 V 685 pF @ 100 V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipazione di potenza (max) 44.6W (Tc) 28W (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 110W (Tc)
Numero di prodotto di base TSM7 TSM70 TSM850 TSM80

TSM7NC65CF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM7NC65CF PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM7NC65CF - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM7NC65CF.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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