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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTSM850N06CX
Taiwan Semiconductor Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TSM850N06CX - Taiwan Semiconductor Corporation

fabbricante Modello di prodotti
TSM850N06CX
fabbricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Modello di prodotti
32D-TSM850N06CX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
60V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
TSM850N06CX.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 139480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TSM850N06CX
Specifiche tecniche Taiwan Semiconductor Corporation - TSM850N06CX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Taiwan Semiconductor Corporation - TSM850N06CX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 2.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 1.7W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta), 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base TSM850  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX

Proprietà del prodotto TSM850N06CX TSM900N10CP ROG TSM80N1R2CP TSM900N06CW RPG
Modello di prodotti TSM850N06CX TSM900N10CP ROG TSM80N1R2CP TSM900N06CW RPG
fabbricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Rds On (max) a Id, Vgs 85mOhm @ 2.3A, 10V 90mOhm @ 5A, 10V 1.2Ohm @ 2.75A, 10V 90mOhm @ 6A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Numero di prodotto di base TSM850 TSM900 TSM80 TSM900
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta), 3A (Tc) 15A (Tc) 5.5A (Tc) 11A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 19.4 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 50W (Tc) 110W (Tc) 4.17W (Tc)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) SOT-223
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 100 V 800 V 60 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 30 V 1480 pF @ 50 V 685 pF @ 100 V 500 pF @ 15 V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA

TSM850N06CX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TSM850N06CX PDF e la documentazione Taiwan Semiconductor Corporation per TSM850N06CX - Taiwan Semiconductor Corporation.

Schede tecniche
TSM850N06CX.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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