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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTY140NS10
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STY140NS10 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STY140NS10
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STY140NS10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STY140NS10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2609

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STY140NS10
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STY140NS10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STY140NS10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MAX247™  
Serie MESH OVERLAY™  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 600 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)  
Numero di prodotto di base STY140  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STY140NS10

Proprietà del prodotto STY140NS10 STY105NM50N STY112N65M5 STY34NB50
Modello di prodotti STY140NS10 STY105NM50N STY112N65M5 STY34NB50
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base STY140 STY105 STY112 STY34N
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 600 nC @ 10 V 326 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 223 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V 9600 pF @ 100 V 16870 pF @ 100 V 9100 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 450W (Tc) 625W (Tc) 625W (Tc) 450W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie MESH OVERLAY™ MDmesh™ II MDmesh™ V PowerMESH™
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 52A, 10V 22mOhm @ 47A, 10V 130mOhm @ 17A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc) 110A (Tc) 96A (Tc) 34A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 500 V 650 V 500 V

STY140NS10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STY140NS10 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STY140NS10 - STMicroelectronics.

Schede tecniche
STY140NS10.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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