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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTY100NM60N
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STY100NM60N - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STY100NM60N
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STY100NM60N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STY100NM60N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1954

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STY100NM60N
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STY100NM60N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STY100NM60N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) 25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MAX247™  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 49A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 98A (Tc)  
Numero di prodotto di base STY100  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STY100NM60N

Proprietà del prodotto STY100NM60N STY60NM50 STY30NK90Z STY34NB50
Modello di prodotti STY100NM60N STY60NM50 STY30NK90Z STY34NB50
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 900 V 500 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie MDmesh™ II MDmesh™ SuperMESH™ PowerMESH™
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 49A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V 260mOhm @ 14A, 10V 130mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 50 V 7500 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Vgs (Max) 25V ±30V ±30V ±30V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 490 nC @ 10 V 223 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base STY100 STY60 STY30N STY34N
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 98A (Tc) 60A (Tc) 26A (Tc) 34A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc) 560W (Tc) 450W (Tc) 450W (Tc)

STY100NM60N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STY100NM60N PDF e la documentazione STMicroelectronics per STY100NM60N - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf
Schede tecniche
STY100NM60N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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