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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTY139N65M5
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STY139N65M5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STY139N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STY139N65M5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
STY139N65M5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 1484

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STY139N65M5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STY139N65M5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STY139N65M5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MAX247™  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 65A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15600 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 363 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  
Numero di prodotto di base STY139  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STY139N65M5

Proprietà del prodotto STY139N65M5 STY112N65M5 STY100NS20FD STY60NM50
Modello di prodotti STY139N65M5 STY112N65M5 STY100NS20FD STY60NM50
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 17mOhm @ 65A, 10V 22mOhm @ 47A, 10V 24mOhm @ 50A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 363 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 96A (Tc) 100A (Tc) 60A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15600 pF @ 100 V 16870 pF @ 100 V 7900 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 200 V 500 V
Numero di prodotto di base STY139 STY112 STY100 STY60
Serie MDmesh™ V MDmesh™ V MESH OVERLAY™ MDmesh™
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 625W (Tc) 625W (Tc) 450W (Tc) 560W (Tc)

STY139N65M5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STY139N65M5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STY139N65M5 - STMicroelectronics.

PCN Design/Specifica
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf STY1xxN65M5 27/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Schede tecniche
STY139N65M5.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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