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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL8N80K5
STL8N80K5 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL8N80K5 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL8N80K5
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL8N80K5
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLAT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL8N80K5.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 22426

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL8N80K5
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL8N80K5, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL8N80K5

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL8N80  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL8N80K5

Proprietà del prodotto STL8N80K5 STL9N60M2 STL90N10F7 STL90N3LLH6
Modello di prodotti STL8N80K5 STL9N60M2 STL90N10F7 STL90N3LLH6
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 17 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 3A, 10V 860mOhm @ 2.4A, 10V 10.5mOhm @ 8A, 10V 4.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±20V
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) 48W (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) 60W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc) 4.8A (Tc) 70A (Tc) 90A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 600 V 100 V 30 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V 320 pF @ 100 V 3550 pF @ 50 V 1690 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base STL8N80 STL9 STL90 STL90
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V

STL8N80K5 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL8N80K5 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL8N80K5 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Schede tecniche
STL8N80K5.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL8N80K5

STMicroelectronics
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