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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSTL8DN6LF3
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL8DN6LF3 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL8DN6LF3
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL8DN6LF3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL8DN6LF3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 30200

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Specifiche

Specifiche tecnologiche STL8DN6LF3
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL8DN6LF3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL8DN6LF3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 10V  
Potenza - Max 65W  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 668pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base STL8  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL8DN6LF3

Proprietà del prodotto STL8DN6LF3 STL8DN10LF3 STL8DN6LF6AG STL85N6F3
Modello di prodotti STL8DN6LF3 STL8DN10LF3 STL8DN6LF6AG STL85N6F3
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ STripFET™
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A 20A 32A (Tc) 85A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 10V 35mOhm @ 4A, 10V 27mOhm @ 9.6A, 10V 5.7mOhm @ 8.5A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Potenza - Max 65W 70W - -
Numero di prodotto di base STL8 STL8 STL8 STL85
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 668pF @ 25V 970pF @ 25V - 3400 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 60V 100V - 60 V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V 20.5nC @ 10V - 60 nC @ 10 V

STL8DN6LF3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL8DN6LF3 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL8DN6LF3 - STMicroelectronics.

Packaging PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN Design/Specifica
STLYYY 20/Feb/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
STLxx 15/Feb/2021.pdf
Schede tecniche
STL8DN6LF3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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