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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSTL90N6F7
STMicroelectronics
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

STL90N6F7 - STMicroelectronics

fabbricante Modello di prodotti
STL90N6F7
fabbricante
STMicroelectronics
Allelco Modello di prodotti
32D-STL90N6F7
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerVDFN
Scheda dati
STL90N6F7.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 52860

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche STL90N6F7
Specifiche tecniche STMicroelectronics - STL90N6F7, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad STMicroelectronics - STL90N6F7

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante STMicroelectronics  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ F7  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.4mOhm @ 10.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 4.8W (Ta), 94W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Numero di prodotto di base STL90  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di STMicroelectronics STL90N6F7

Proprietà del prodotto STL90N6F7 STL8N80K5 STL8P2UH7 STL9N60M2
Modello di prodotti STL90N6F7 STL8N80K5 STL8P2UH7 STL9N60M2
fabbricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 800 V 20 V 600 V
Contenitore / involucro 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 6-PowerWDFN 8-PowerVDFN
Vgs (Max) ±20V ±30V ±8V ±25V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ F7 SuperMESH5™ DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ II Plus
Dissipazione di potenza (max) 4.8W (Ta), 94W (Tc) 42W (Tc) 2.4W (Tc) 48W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 450 pF @ 100 V 2390 pF @ 16 V 320 pF @ 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (2x2) PowerFlat™ (5x6) HV
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 5.4mOhm @ 10.5A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V 22.5mOhm @ 4A, 4.5V 860mOhm @ 2.4A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 1.5V, 4.5V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 4.5A (Tc) 8A (Tc) 4.8A (Tc)
Numero di prodotto di base STL90 STL8N80 STL8 STL9

STL90N6F7 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica STL90N6F7 PDF e la documentazione STMicroelectronics per STL90N6F7 - STMicroelectronics.

Assemblaggio/origine PCN
Assembly 21/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
STL90N6F7.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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