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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP12N06RLE
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP12N06RLE - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
RFP12N06RLE
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP12N06RLE
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
RFP12N06RLE.pdf
In magazzino: 64430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP12N06RLE
Specifiche tecniche Harris Corporation - RFP12N06RLE, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - RFP12N06RLE

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 49W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation RFP12N06RLE

Proprietà del prodotto RFP12N06RLE RFP14N05L RFP14N05L RFP14N05
Modello di prodotti RFP12N06RLE RFP14N05L RFP14N05L RFP14N05
fabbricante Harris Corporation Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 50 V 50 V 50 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 5V 5V -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie UltraFET™ - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Dissipazione di potenza (max) 49W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc) -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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