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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP12N10L
RFP12N10L Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP12N10L - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
RFP12N10L
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP12N10L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFP12N10L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 61630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP12N10L
Specifiche tecniche onsemi - RFP12N10L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - RFP12N10L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base RFP12N10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi RFP12N10L

Proprietà del prodotto RFP12N10L RFP12N10L RFP14N05L RFP14N05
Modello di prodotti RFP12N10L RFP12N10L RFP14N05L RFP14N05
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) - 14A (Tc) 14A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V - ±10V -
Tipo montaggio Through Hole - Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Bulk Tube Tube
Numero di prodotto di base RFP12N10 - - RFP14
Contenitore / involucro TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Serie - * - -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) - 48W (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA - 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V - 670 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - 50 V 50 V
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 5V - 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V - 5V -

RFP12N10L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica RFP12N10L PDF e la documentazione onsemi per RFP12N10L - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFP12N10L.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 14/Dec/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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