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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP10P15
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP10P15 - Harris Corporation

fabbricante Modello di prodotti
RFP10P15
fabbricante
Harris Corporation
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP10P15
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
RFP10P15.pdf
In magazzino: 16980

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Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP10P15
Specifiche tecniche Harris Corporation - RFP10P15, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Harris Corporation - RFP10P15

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Harris Corporation  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Harris Corporation RFP10P15

Proprietà del prodotto RFP10P15 RFP12N10L RFP12N10L RFP12N06RLE
Modello di prodotti RFP10P15 RFP12N10L RFP12N10L RFP12N06RLE
fabbricante Harris Corporation Harris Corporation onsemi Harris Corporation
Rds On (max) a Id, Vgs 500mOhm @ 5A, 10V 200mOhm @ 12A, 5V 200mOhm @ 12A, 5V 63mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 49W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±10V ±10V ±16V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V 5V 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Pacchetto Bulk Tube Tube Bulk
Serie - - - UltraFET™
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 100 V 100 V 60 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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