Specifiche
Specifiche tecnologiche PJX138K_R1_00001
Specifiche tecniche Panjit International Inc. - PJX138K_R1_00001, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Panjit International Inc. - PJX138K_R1_00001
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
PANJIT |
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| Vgs (th) (max) a Id |
1.5V @ 250µA |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
SOT-563 |
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| Serie |
- |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
1.6Ohm @ 500mA, 10V |
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| Potenza - Max |
223mW (Ta) |
|
| Contenitore / involucro |
SOT-563, SOT-666 |
|
| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
|
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
50pF @ 25V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
1nC @ 4.5V |
|
| Caratteristica FET |
- |
|
| Tensione drain-source (Vdss) |
50V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
350mA (Ta) |
|
| Configurazione |
2 N-Channel (Dual) |
|
| Numero di prodotto di base |
PJX138 |
|
Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
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SI3951DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
QS6K21TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
SI1926DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
SI6943BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
EFC8811R-TFonsemiMOSFET 2N-CH 6CSP
PJX138K T/RPANJIT
DMG1024UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
BUK7K52-60EXNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK
TPS1120DRTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
FDS89161onsemiMOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC