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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciQS6K21TR
Rohm Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

QS6K21TR - Rohm Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
QS6K21TR
fabbricante
LAPIS Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-QS6K21TR
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
QS6K21TR.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 146270

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Specifiche

Specifiche tecnologiche QS6K21TR
Specifiche tecniche Rohm Semiconductor - QS6K21TR, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Rohm Semiconductor - QS6K21TR

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante LAPIS Technology  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Potenza - Max 1.25W  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 45V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base QS6K21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Rohm Semiconductor QS6K21TR

Proprietà del prodotto QS6K21TR QS6K1TR QS6M3TR QS6J3TR
Modello di prodotti QS6K21TR QS6K1TR QS6M3TR QS6J3TR
fabbricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs - 238mOhm @ 1A, 4.5V 230mOhm @ 1.5A, 4.5V 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione drain-source (Vdss) 45V 30V 30V, 20V 20V
Potenza - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base QS6K21 QS6K1 QS6M3 QS6J3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 2.4nC @ 4.5V 1.6nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A 1A 1.5A 1.5A
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 77pF @ 10V 80pF @ 10V 270pF @ 10V

QS6K21TR Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica QS6K21TR PDF e la documentazione Rohm Semiconductor per QS6K21TR - Rohm Semiconductor.

PCN Design/Specifica
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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