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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI7942DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI7942DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI7942DP-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI7942DP-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Pacchetto
PowerPAK® SO-8 Dual
Scheda dati
Si7942DP.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 22778

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI7942DP-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI7942DP-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI7942DP-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 100V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI7942  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI7942DP-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI7942DP-T1-GE3 SI7945DP-T1-GE3 SI7940DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-E3
Modello di prodotti SI7942DP-T1-GE3 SI7945DP-T1-GE3 SI7940DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100V 30V 12V 100V
Numero di prodotto di base SI7942 SI7945 SI7940 SI7942
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Potenza - Max 1.4W 1.4W 1.4W 1.4W
Rds On (max) a Id, Vgs 49mOhm @ 5.9A, 10V 20mOhm @ 10.9A, 10V 17mOhm @ 11.8A, 4.5V 49mOhm @ 5.9A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A 7A 7.6A 3.8A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V 74nC @ 10V 17nC @ 4.5V 24nC @ 10V
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

SI7942DP-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI7942DP-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI7942DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
Si7942DP.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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