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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBUK9M4R3-40HX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BUK9M4R3-40HX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK9M4R3-40HX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK9M4R3-40HX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Scheda dati
BUK9M4R3-40H.pdf
Selection Guide.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 50880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK9M4R3-40HX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - BUK9M4R3-40HX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - BUK9M4R3-40HX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) +16V, -10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 95A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 90W  
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Ta)  
Numero di prodotto di base BUK9M4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. BUK9M4R3-40HX

Proprietà del prodotto BUK9M4R3-40HX BUK9M52-40EX BUK9M53-60EX BUK9M42-60EX
Modello di prodotti BUK9M4R3-40HX BUK9M52-40EX BUK9M53-60EX BUK9M42-60EX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Rds On (max) a Id, Vgs 4.3mOhm @ 95A, 10V 40mOhm @ 5A, 10V 46mOhm @ 5A, 10V 37mOhm @ 5A, 10V
Numero di prodotto di base BUK9M4 BUK9M52 BUK9M53 BUK9M42
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 4.5 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 8.3 nC @ 5 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 5V 5V
Vgs (Max) +16V, -10V ±10V ±10V ±10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Dissipazione di potenza (max) 90W 31W 36W (Tc) 44W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
temperatura di esercizio 175°C -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 95A (Ta) 17.6A (Tj) 17A (Tc) 22A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id - 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA

BUK9M4R3-40HX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUK9M4R3-40HX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per BUK9M4R3-40HX - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
BUK9M4R3-40H.pdf Selection Guide.pdf
Assemblaggio/origine PCN
BUK7x/BUK9x 08/Apr/2022.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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