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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBUK9M3R3-40HX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BUK9M3R3-40HX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK9M3R3-40HX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK9M3R3-40HX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Scheda dati
BUK9M3R3-40H.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 39877

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK9M3R3-40HX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - BUK9M3R3-40HX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - BUK9M3R3-40HX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 101W (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3766 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Ta)  
Numero di prodotto di base BUK9M3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. BUK9M3R3-40HX

Proprietà del prodotto BUK9M3R3-40HX BUK9M4R3-40HX BUK9M28-80EX BUK9M52-40EX
Modello di prodotti BUK9M3R3-40HX BUK9M4R3-40HX BUK9M28-80EX BUK9M52-40EX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 80 V 40 V
Dissipazione di potenza (max) 101W (Ta) 90W 75W (Tc) 31W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3766 pF @ 25 V - 2275 pF @ 25 V 407 pF @ 25 V
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±16V +16V, -10V ±10V ±10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 5V 5V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base BUK9M3 BUK9M4 BUK9M28 BUK9M52
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3mOhm @ 25A, 10V 4.3mOhm @ 95A, 10V 25mOhm @ 10A, 10V 40mOhm @ 5A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Ta) 95A (Ta) 33A (Tc) 17.6A (Tj)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 16.7 nC @ 5 V 4.5 nC @ 5 V
Vgs (th) (max) a Id 2.15V @ 1mA - 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

BUK9M3R3-40HX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUK9M3R3-40HX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per BUK9M3R3-40HX - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
BUK7x/BUK9x 08/Apr/2022.pdf
Schede tecniche
BUK9M3R3-40H.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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