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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBUK9M28-80EX
Nexperia USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BUK9M28-80EX - Nexperia USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK9M28-80EX
fabbricante
Nexperia
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK9M28-80EX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Scheda dati
BUK9M28-80E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 88120

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK9M28-80EX
Specifiche tecniche Nexperia USA Inc. - BUK9M28-80EX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Nexperia USA Inc. - BUK9M28-80EX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Nexperia  
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2275 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.7 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  
Numero di prodotto di base BUK9M28  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Nexperia USA Inc. BUK9M28-80EX

Proprietà del prodotto BUK9M28-80EX BUK9M15-60EX BUK9M53-60EX BUK9M19-60EX
Modello di prodotti BUK9M28-80EX BUK9M15-60EX BUK9M53-60EX BUK9M19-60EX
fabbricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) 75W (Ta) 36W (Tc) 62W (Tc)
Contenitore / involucro SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V, 10V 5V 5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 60 V 60 V 60 V
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Numero di prodotto di base BUK9M28 BUK9M15 BUK9M53 BUK9M19
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 47A (Ta) 17A (Tc) 38A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.1V @ 1mA 2.45V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.1V @ 1mA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.7 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V 6 nC @ 5 V 13.8 nC @ 5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 10A, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 46mOhm @ 5A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33 LFPAK33
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2275 pF @ 25 V 2230 pF @ 25 V 683 pF @ 25 V 1814 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±10V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

BUK9M28-80EX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUK9M28-80EX PDF e la documentazione Nexperia USA Inc. per BUK9M28-80EX - Nexperia USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
Schede tecniche
BUK9M28-80E.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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