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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF730
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF730 - NTE Electronics, Inc

fabbricante Modello di prodotti
IRF730
fabbricante
NTE Electronics, Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF730
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF730.pdf
In magazzino: 27498

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF730
Specifiche tecniche NTE Electronics, Inc - IRF730, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NTE Electronics, Inc - IRF730

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NTE Electronics, Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bag  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NTE Electronics, Inc IRF730

Proprietà del prodotto IRF730 IRF730 IRF7241TRPBF IRF7240TRPBF
Modello di prodotti IRF730 IRF730 IRF7241TRPBF IRF7240TRPBF
fabbricante NTE Electronics, Inc Harris Corporation Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 6.2A (Ta) 10.5A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 100W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V 41mOhm @ 6.2A, 10V 15mOhm @ 10.5A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bag Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V 9250 pF @ 25 V
Serie - PowerMESH™ II HEXFET® HEXFET®
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 400 V 40 V 40 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 8-SO 8-SO

IRF730 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRF730 PDF e la documentazione NTE Electronics, Inc per IRF730 - NTE Electronics, Inc.

Informazioni ambientali
RoHS Statement.pdf
Schede tecniche
IRF730.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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