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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF7241PBF
International Rectifier
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF7241PBF - International Rectifier

fabbricante Modello di prodotti
IRF7241PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF7241PBF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
HEXFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
IRF7241PBF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF7241PBF
Specifiche tecniche International Rectifier - IRF7241PBF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad International Rectifier - IRF7241PBF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Infineon Technologies  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 6.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di International Rectifier IRF7241PBF

Proprietà del prodotto IRF7241PBF IRF7241 IRF730 IRF7240TRPBF
Modello di prodotti IRF7241PBF IRF7241 IRF730 IRF7240TRPBF
fabbricante International Rectifier Infineon Technologies STMicroelectronics Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 41mOhm @ 6.2A, 10V 41mOhm @ 6.2A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V 15mOhm @ 10.5A, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Ta) 6.2A (Ta) 5.5A (Tc) 10.5A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 400 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® PowerMESH™ II HEXFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3220 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 9250 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO TO-220 8-SO
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 100W (Tc) 2.5W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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