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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF730
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF730 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
IRF730
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF730
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF730.pdf
In magazzino: 4500

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF730
Specifiche tecniche onsemi - IRF730, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - IRF730

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi IRF730

Proprietà del prodotto IRF730 IRF730 IRF730 IRF7240TRPBF
Modello di prodotti IRF730 IRF730 IRF730 IRF7240TRPBF
fabbricante onsemi Vishay Siliconix Harris Corporation Infineon Technologies
Pacchetto Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 10.5A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc) 74W (Tc) 100W (Tc) 2.5W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Serie - - PowerMESH™ II HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 1Ohm @ 3A, 10V 15mOhm @ 10.5A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 400 V 400 V 40 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220 8-SO
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 9250 pF @ 25 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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