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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT31N80JC3
APT31N80JC3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT31N80JC3 - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT31N80JC3
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT31N80JC3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-227-4, miniBLOC
Scheda dati
APT31N80JC3.pdf
In magazzino: 3710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT31N80JC3
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT31N80JC3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT31N80JC3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP®  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 833W (Tc)  
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT31N80JC3

Proprietà del prodotto APT31N80JC3 APT31N60BCSG APT30M70BVRG APT3216PBC/A
Modello di prodotti APT31N80JC3 APT31N60BCSG APT30M70BVRG APT3216PBC/A
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Kingbright
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4510 pF @ 25 V 3055 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Tipo montaggio Chassis Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ POWER MOS V® -
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 2mA 3.9V @ 1.2mA 4V @ 1mA -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 600 V 300 V -
Contenitore dispositivo fornitore ISOTOP® TO-247-3 TO-247 [B] Chip LED
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Rds On (max) a Id, Vgs 145mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 18A, 10V 70mOhm @ 500mA, 10V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 48A (Tc) -
Contenitore / involucro SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3 1206 (3216 Metric)
Dissipazione di potenza (max) 833W (Tc) 255W (Tc) 370W (Tc) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 355 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

APT31N80JC3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT31N80JC3 PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT31N80JC3 - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APT31N80JC3.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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