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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT30M70BVRG
Microchip Technology
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT30M70BVRG - Microchip Technology

fabbricante Modello di prodotti
APT30M70BVRG
fabbricante
Microchip Technology
Allelco Modello di prodotti
32D-APT30M70BVRG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V 48A TO247
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
Power Products Catalog.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2751

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT30M70BVRG
Specifiche tecniche Microchip Technology - APT30M70BVRG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microchip Technology - APT30M70BVRG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microchip Technology  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]  
Serie POWER MOS V®  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Numero di prodotto di base APT30M70  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microchip Technology APT30M70BVRG

Proprietà del prodotto APT30M70BVRG APT31N60BCSG APT30M30JLL APT30M40JVFR
Modello di prodotti APT30M70BVRG APT31N60BCSG APT30M30JLL APT30M40JVFR
fabbricante Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 3.9V @ 1.2mA 5V @ 2.5mA 4V @ 2.5mA
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base APT30M70 - APT30M30 APT30M40
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Dissipazione di potenza (max) 370W (Tc) 255W (Tc) - 450W (Tc)
Serie POWER MOS V® CoolMOS™ POWER MOS 7® POWER MOS V®
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 600 V 300 V 300 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 31A (Tc) 88A (Tc) 70A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V 3055 pF @ 25 V 7030 pF @ 25 V 10200 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 425 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±30V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B] TO-247-3 ISOTOP® ISOTOP®
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 18A, 10V 30mOhm @ 44A, 10V 40mOhm @ 500mA, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

APT30M70BVRG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT30M70BVRG PDF e la documentazione Microchip Technology per APT30M70BVRG - Microchip Technology.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Altro
Integration 13/May/2020.pdf
Foglio dati HTML
Power Products Catalog.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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