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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT31N60BCSG
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

APT31N60BCSG - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT31N60BCSG
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT31N60BCSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
APT31N60BCS(G).pdf
In magazzino: 4440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche APT31N60BCSG
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT31N60BCSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT31N60BCSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 255W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3055 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT31N60BCSG

Proprietà del prodotto APT31N60BCSG APT30M60J APT31N80JC3 APT30M70BVRG
Modello di prodotti APT31N60BCSG APT30M60J APT31N80JC3 APT30M70BVRG
fabbricante Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 18A, 10V 150mOhm @ 21A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V 70mOhm @ 500mA, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 ISOTOP® ISOTOP® TO-247 [B]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 31A (Tc) 48A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 300 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3055 pF @ 25 V 5890 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 255W (Tc) 355W (Tc) 833W (Tc) 370W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Serie CoolMOS™ POWER MOS 8™ CoolMOS™ POWER MOS V®
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 1.2mA 5V @ 2.5mA 3.9V @ 2mA 4V @ 1mA

APT31N60BCSG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT31N60BCSG PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT31N60BCSG - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APT31N60BCS(G).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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