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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloAPT31N60BCSG
Microsemi Corporation
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

APT31N60BCSG - Microsemi Corporation

fabbricante Modello di prodotti
APT31N60BCSG
fabbricante
Microsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-APT31N60BCSG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
APT31N60BCS(G).pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4440

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Specifiche

Specifiche tecnologiche APT31N60BCSG
Specifiche tecniche Microsemi Corporation - APT31N60BCSG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Microsemi Corporation - APT31N60BCSG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Microsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie CoolMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 255W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3055 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Microsemi Corporation APT31N60BCSG

Proprietà del prodotto APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT30M70BVRG APT31N90JC3
Modello di prodotti APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT30M70BVRG APT31N90JC3
fabbricante Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi
Tipo montaggio Through Hole Chassis Mount Through Hole -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 18A, 10V 145mOhm @ 22A, 10V 70mOhm @ 500mA, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore / involucro TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 ISOTOP® TO-247 [B] -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 48A (Tc) -
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 800 V 300 V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Pacchetto Tube Tube Tube -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3055 pF @ 25 V 4510 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V -
Dissipazione di potenza (max) 255W (Tc) 833W (Tc) 370W (Tc) -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ POWER MOS V® -
Vgs (th) (max) a Id 3.9V @ 1.2mA 3.9V @ 2mA 4V @ 1mA -

APT31N60BCSG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica APT31N60BCSG PDF e la documentazione Microsemi Corporation per APT31N60BCSG - Microsemi Corporation.

Informazioni ambientali
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Schede tecniche
APT31N60BCS(G).pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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